在存储设备领域，三星860EVO是一款非常受欢迎的固态硬盘（SSD），以其出色的性能和可靠性赢得了广泛的好评。对于关注硬件技术的用户来说，了解这款硬盘所采用的具体颗粒类型是非常重要的。

三星860EVO采用了三星自家生产的3D V-NAND技术。这种技术是一种先进的闪存颗粒设计，通过垂直堆叠的方式来增加存储密度，从而在较小的空间内实现更大的存储容量。与传统的平面NAND相比，3D V-NAND不仅提高了存储效率，还显著提升了数据读写速度和耐用性。

具体来说，三星860EVO使用的是第六代Toggle DDR 4.0接口的3D TLC（三层单元）V-NAND闪存颗粒。TLC（Triple Level Cell）是指每个存储单元可以存储三个比特的数据，相较于MLC（Multi-Level Cell）和SLC（Single Level Cell），TLC在成本上更具优势，但通过三星的优化技术，其性能和寿命表现依然非常出色。

此外，三星为860EVO配备了自家的MJX主控芯片，该主控结合了强大的算法和高效的管理能力，进一步提升了硬盘的整体性能。无论是日常办公、多媒体处理还是游戏应用，860EVO都能提供流畅稳定的体验。

总之，三星860EVO凭借其创新的3D V-NAND技术和高效的主控芯片，在固态硬盘市场中占据了一席之地。对于追求高性能和高可靠性的用户而言，这款硬盘无疑是一个值得信赖的选择。